PVD各法の特徴 平成30年度 問25 無機化学及びセラミックス

薄膜形成技術の1つにPVD(物理的堆積法)技術がある。次の記述のうち、最も不適切なものはどれか。

正答
④ イオンプレーティング法は、真空蒸着装置中の蒸発源から蒸発させた原料をプラズマ中でイオン化し、そのまま高密度に蒸着する方法である。

蒸着は、物質を高温にして蒸発させ、処理物に吸着させその表面上に物質の固体被膜を形成する方法です。蒸着には物理的反応を利用した物理蒸着(PVD)と、化学的反応を利用した化学蒸着(CVD)の二種類があります。

イオンプレーティング法では、単に原料をイオン化して蒸着するだけでなく、基板にマイナスの電圧を印加してイオン化した原料を引き寄せます。イオン化した原料を加速して基板に衝突させることで、高い密着性と密度を持つ膜を形成できます。

MBE(分子線エピタキシー)法は、超高真空環境下で原子または分子ビームを用いて、基板表面で反応させることにより原子層レベルで制御された薄膜を成長させる技術です。真空蒸着法と異なり超高真空で実施することから、他の分子と接触する可能性が減り分子線として振舞えます。扱う粒子は低エネルギーです。

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