PVD各法の特徴 令和3年度 問24 無機化学及びセラミックス

薄膜形成技術の1つにPVD(物理的堆積法)技術がある。次の記述のうち、最も不適切なものはどれか。

正答
⑤ MBE(分子線エピタキシー)法は、超高真空中で、薄膜を構成する元素を含む原料を微少量のガス状に気化した高エネルギー粒子を、基板表面に堆積させる方法である。

蒸着は、物質を高温にして蒸発させ、処理物に吸着させその表面上に物質の固体被膜を形成する方法です。蒸着には物理的反応を利用した物理蒸着(PVD)と、化学的反応を利用した化学蒸着(CVD)の二種類があります。

MBE(分子線エピタキシー)法は、超高真空環境下で原子または分子ビームを用いて、基板表面で反応させることにより原子層レベルで制御された薄膜を成長させる技術です。真空蒸着法と異なり超高真空で実施することから、他の分子と接触する可能性が減り分子線として振舞えます。扱う粒子は低エネルギーです。

イオンプレーティング法では、単に原料をイオン化して蒸着するだけでなく、基板にマイナスの電圧を印加してイオン化した原料を引き寄せます。イオン化した原料を加速して基板に衝突させることで、高い密着性と密度を持つ膜を形成できます。

技術士(化学部門)一次試験の要点まとめ

有機化学・高分子化学・燃料と石油精製など専門科目の忘れやすい点を、メモ形式でまとめたnote記事(有料)です。

→